ジョージア工科大、ZnOナノワイヤを使ったピエゾ抵抗型メモリを開発。バイオと電子回路のインターフェースに応用
ジョージア工科大学が、ピエゾ抵抗効果を利用した新規メモリを開発したとのこと。デバイスの材料には酸化亜鉛（ZnO）のナノワイヤを使用。ZnOに圧力をかけると抵抗が変化する性質を利用することで、電気機械的な調整によるデータの読み書きを可能にしました。
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AMAT、DRAM高速化のための新製造技術を導入
アプライド マテリアルズ（AMAT）が、20nm世代のDRAM高速化に向けた製造技術を新たに導入しました。ゲート絶縁膜の性能を向上させる高ドーズ窒素注入技術「Applied Centura DPN HD」、高アスペクト比の電極構造形成技術「Applied Endura Cobalt PVD」、ゲートスタックの低抵抗化技術「Applied Endura Versa XLR W PVD」という3つの技術が発表されています。
バークレー研究所、蛍光・りん光の基本原理「Kashaの法則」を破るテトラポッド型半導体ナノ結晶を開発。センサ、光デバイスへの応用期待
科学法則の破れを観測することが、新たな知見や重要な応用へとつながる場合があります。バークレー研究所が作製した半導体ナノ結晶の人工分子において、「Kashaの法則」として知られるフォトルミネッセンスの基本原理の破れが見出された事例は、まさにそのようなものと言えるでしょう。
