ジョージア工科大、ZnOナノワイヤを使ったピエゾ抵抗型メモリを開発。バイオと電子回路のインターフェースに応用

ジョージア工科大学が、ピエゾ抵抗効果を利用した新規メモリを開発したとのこと。デバイスの材料には酸化亜鉛(ZnO)のナノワイヤを使用。ZnOに圧力をかけると抵抗が変化する性質を利用することで、電気機械的な調整によるデータの読み書きを可能にしました。
ジョージア工科大学が、ピエゾ抵抗効果を利用した新規メモリを開発したとのこと。デバイスの材料には酸化亜鉛(ZnO)のナノワイヤを使用。ZnOに圧力をかけると抵抗が変化する性質を利用することで、電気機械的な調整によるデータの読み書きを可能にしました。
アプライド マテリアルズ(AMAT)が、20nm世代のDRAM高速化に向けた製造技術を新たに導入しました。ゲート絶縁膜の性能を向上させる高ドーズ窒素注入技術「Applied Centura DPN HD」、高アスペクト比の電極構造形成技術「Applied Endura Cobalt PVD」、ゲートスタックの低抵抗化技術「Applied Endura Versa XLR W PVD」という3つの技術が発表されています。