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MITとミシガン大、転写不要の大面積グラフェン成膜法を開発

転写を伴わずに基板上へグラフェンを成膜するプロセス(出所:MIT)

マサチューセッツ工科大学(MIT)とミシガン大学の研究チームが、基板上にグラフェンを成膜する新たな方法を開発した。従来法では、金属箔上にグラフェンを成膜してから所望する基板に転写する必要があったが、新しい方法は転写プロセスを伴わず、シリコンウェハーや大面積のガラス基板などにグラフェンを直接成膜できる。ディスプレイや太陽電池などへのグラフェンの応用が容易になると期待される。

東北大、全固体電池用の新規リチウムイオン伝導体を開発

左:KI - LiBH4系の格子定数、右:25 mol%LiBH4ドープ KI のイオン伝導度

東北大学の研究グループが、全固体電池のための新しいリチウムイオン伝導体KI-LiBH4を開発した。従来から知られている酸化物系や硫化物系の固体電解質に比べて飛躍的に成形性が高く、電極材料と良好な接触性を示す水素化物系固体電解質LiBH4(水素化ホウ素リチウム)に着目した。

富士フイルムと京大、量子ドット薄膜での高効率の光電変換に成功

相互作用の低い量子ドット薄膜と相互作用の高い量子ドット薄膜の比較(出所:富士フイルム)

富士フイルムが、量子ドットの集合体からなる薄膜(量子ドット薄膜)において、量子ドット間の距離を精密に制御することで、光エネルギーを効率的に電気エネルギーへ変換することに成功した。京都大学 化学研究所の金光義彦教授との共同研究。

東北大、高い電気伝導性を持った3次元グラフェンの開発に成功

左:ナノ多孔質ニッケル上に成長した3次元ナノ多孔質グラフェン、右:ニッケルを溶かした後の3次元ナノ多孔質ナノ多孔質グラフェン単体 (出所:東北大学)

東北大学が、新規材料「3次元ナノ多孔質グラフェン」の開発に成功した。これまで3次元炭素材料は非結晶性不連続体(粉状)のため電気をほとんど通さなかったのに対して、結晶性の高い1枚の繋がった3次元グラフェンシートを作製することで高い電気移動度を達成した。シリコンに替わる3次元デバイスの開発が期待される。

NTT、世界最大100万ビット規模の量子コンピュータ実現に向けた新手法確立

振動同期法による量子もつれ生成での高精度・高速度の同時達成 (出所:NTT)

が、光格子中に束縛された約100万個の原子に対して量子コンピュータのリソースとなる大規模な量子もつれ状態を高精度かつ高速に生成する手法を世界で初めて確立した。量子ビットのサイズ拡張性やエラー低減などが可能となるため、100万ビット規模の量子計算が実現できる可能性が出てきた。