カテゴリー別アーカイブ: メモリ・ストレージ

ライス大、シリコン酸化膜とグラフェンによる透明・フレキシブルな不揮発性メモリを開発

ライス大学の研究チームが、シリコン酸化膜(SiO2)とグラフェンを用いて透明でフレキシブルな不揮発性抵抗変化メモリを開発したとのこと。ヘッドアップディスプレイをはじめ、さまざまな電子機器への応用が考えられる。

AMAT、3次元NANDフラッシュメモリ向けの絶縁膜エッチング装置発表。80:1の高アスペクト比を実現

アプライド マテリアルズ(AMAT)は、次世代3次元NANDフラッシュメモリ向けの絶縁膜エッチング装置「Applied Centura Avatar」を発表した。80:1という高アスペクト比のホールやトレンチが形成できる。チャンバ30基以上がすでに客先に出荷されているという。

ジョージア工科大、ZnOナノワイヤを使ったピエゾ抵抗型メモリを開発。バイオと電子回路のインターフェースに応用

ジョージア工科大学が、ピエゾ抵抗効果を利用した新規メモリを開発したとのこと。デバイスの材料には酸化亜鉛(ZnO)のナノワイヤを使用。ZnOに圧力をかけると抵抗が変化する性質を利用することで、電気機械的な調整によるデータの読み書きを可能にしました。

ブルックヘブン国立研究所、YMnO系マルチフェロイック材料の新しい機構を発見

米ブルックヘブン国立研究所(BNL)の研究チームが、強磁性と強誘電性を併せ持ったマルチフェロイック材料の新しい機構を発見したとのこと。マルチフェロイック材料は、より高速で省電力な次世代ロジックやメモリ、センサ技術などに使用できるとされています。

AMAT、DRAM高速化のための新製造技術を導入

アプライド マテリアルズ(AMAT)が、20nm世代のDRAM高速化に向けた製造技術を新たに導入しました。ゲート絶縁膜の性能を向上させる高ドーズ窒素注入技術「Applied Centura DPN HD」、高アスペクト比の電極構造形成技術「Applied Endura Cobalt PVD」、ゲートスタックの低抵抗化技術「Applied Endura Versa XLR W PVD」という3つの技術が発表されています。

「データ削除するとコンピュータが冷却できる」 スイス連邦工科大が発見

コンピュータを動かすと熱が出るというのはよく知られたことですが、理論物理学者たちは「コンピュータ処理で熱が発生しないこともある。それどころか、一定の条件下では冷却効果が生じることさえある」という驚くべき事実を発見しました。この発見の背景には、「情報とその欠如」に関する本質的な考察があるといいます。

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