AMAT、DRAM高速化のための新製造技術を導入

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アプライド マテリアルズ(AMAT)が、20nm世代のDRAM高速化に向けた製造技術を新たに導入しました。ゲート絶縁膜の性能を向上させる高ドーズ窒素注入技術「Applied Centura DPN HD」、高アスペクト比の電極構造形成技術「Applied Endura Cobalt PVD」、ゲートスタックの低抵抗化技術「Applied Endura Versa XLR W PVD」という3つの技術が発表されています。

AMATのプラズマ窒化チャンバ「Applied Centura DPN」(Image courtesy of Applied Materials)

ここ数年間、マイクロプロセッサの高速化が続く中で、DRAM高速化のペースがそれに追いついていないことが深刻な性能ギャップを生むという状況にあります。この「メモリの壁」を乗り越えるためには、メモリセルと外部データバス間のデータ転送を行う制御回路が高速化されなければなりません。DRAMチップメーカーは、トランジスタを高密度化するため、また制御回路の高速化・高性能化に必要な余裕確保を行うために、先端ロジックデバイス分野で鍵となっているトランジスタ技術を適用することによって、この課題に取り組んでいるところです。

AMATでは、今回導入する新技術が、こうした課題への多面的な対応を可能にするものであるとしています。

Applied Centura DPN HD

このシステムは、ゲート絶縁膜に窒素原子を注入して、その電気的特性を向上させることでトランジスタの高性能化を促すように設計されたもの。新しい高ドーズ技術は、先端ロジック、メモリ製造で広く使われているAMATのデカップルドプラズマ窒化装置をベースにしているとのこと。

Applied Endura Cobalt PVD

トランジスタ電極メタライゼーション向けに、従来のチタン材料をより低抵抗なコバルトで代替することで、スイッチング速度の向上と低消費電力化を進める技術。このシステムでは、コバルトの物理的気相成長(PVD)に関するAMATの長年の経験が活かされており、高アスペクト比の電極構造への均一な薄膜形成と電極の低抵抗化(チタンから半減)ができるとのこと。

AMATのPVD装置「Applied Endura」(Image courtesy of Applied Materials)

Applied Endura Versa XLR W PVD

タングステンPVD技術によってゲートスタック抵抗を20%削減し、トランジスタのスイッチング速度の著しい向上を可能にするシステム。さらにチャンバ設計を最適化することで、重要な消耗部品の寿命が伸びているため、ウェハーあたり10%のコスト削減が可能とのこと。

原文 http://bit.ly/qqDgCx
訳 SJN

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