カテゴリー別アーカイブ: メモリ・ストレージ

筑波大ら、白金フリー酸化物垂直磁気記録材料の薄膜化に成功。安価で高性能なHDD記録媒体に期待

筑波大学・KEK・北海道大学の研究グループが、量産に適した成膜手法であるスパッタリング法を用いて、良質なコバルトフェライト単結晶薄膜を作製することに世界で初めて成功した。この薄膜について磁気特性および結晶構造の評価を行ったところ、白金などの貴金属を含む磁性材料に匹敵する強い垂直磁気異方性を有することを見出した。貴金属を用いない高性能な垂直磁気記録方式のHDDの記録媒体を実現できる可能性が示された。

首都大・京大ら、磁性を持たないパラジウム-コバルト酸化物で巨大磁気抵抗効果を実現。単純金属を磁気センサに応用できる新メカニズム

首都大学東京、京都大学、大阪市立大学、大阪大学、広島大学の研究チームが、非磁性の単純金属であるパラジウム-コバルト酸化物の磁場による電気抵抗の変化(磁気抵抗効果)を測定し、巨大磁気抵抗効果が現れることを発見した。磁場がゼロのときと比べ、磁場中では電気抵抗が最大で 350 倍まで増加した。ハードディスクなどのデータ読み出しに使われている磁性体多層膜の巨大磁気抵抗効果に匹敵する非常に大きな抵抗変化となっている。

東北大、磁気の流れを介した新しい磁気抵抗効果を発見

東北大学の研究チームが、磁気の流れによって発現する新しい磁気抵抗効果を世界で初めて発見した。「スピンホール磁気抵抗効果」と呼ばれる現象で、非磁性金属と磁性絶縁体を接合させたときに発現する。スピンホール磁気抵抗効果を用いると、磁性体に電流を流さずに、隣接する非磁性金属に磁気抵抗効果を引き起こすことが可能となる。このため、磁性体における発熱や化学反応、磁気特性の劣化の少ない長寿命な新機能磁気デバイス開発への応用が期待される。

IBM、イオン流による不揮発性デバイス動作を実証。イオン液体を使って酸化物の金属-絶縁体遷移を可逆制御

IBMの研究チームが、電子の代わりにイオンの流れを用いた不揮発性デバイスの動作技術を実証した。既存のシリコン半導体チップに比べて、不揮発性メモリおよび不揮発性ロジックの消費電力を低減できるとみられる。デバイス微細化の物理的限界に近づいているシリコンを超える新規材料技術として注目される。

UCLAら、STT-RAMを超える超低消費電力の磁性メモリ MeRAM を開発

カリフォルニア大学ロサンゼルス校(UCLA)を中心とする研究チームが、電圧印加によってデータ書き込みを行う新型の磁性メモリ MeRAM(Magnetoelectric Random Access Memory)を開発した。スピン注入メモリ(STT-RAM)の1/10~1/1000の低消費電力、5倍超の記録密度を実現できるという。

MITら、量子スピン液体状態の磁性体を実験で確認

マサチューセッツ工科大学(MIT)を中心とする研究チームが、「量子スピン液体」と呼ばれる状態にある磁性体の存在を実験で確認した。量子スピン液体状態の磁性体は固体の結晶だが、物質を構成する個々の粒子の磁気方向が絶えず変動しており、あたかも液体中の分子のように振舞う。強磁性、反磁性につづく第三の基本的な磁性の状態であるとされる。

LEAP、超低電圧デバイス開発の成果報告@つくば

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)が、2012年12月19日、つくば国際会議場で「低炭素化社会を実現する超低電圧デバイスプロジェクト成果報告会」を開催した。同プロジェクトは、2010~2014年度の5年間の研究開発事業で、論理回路、1次メモリ、高速ストレージ、大容量ストレージといった情報処理装置の各階層に最適化した超低電圧デバイスの実現をめざす。

テキサス大とHGST、ブロック共重合体の自己組織化でHDD記録密度5倍増

テキサス大学オースティン校とHGST(旧:日立グローバルストレージテクノロジーズ)が、ブロック共重合体の自己組織化現象を利用してHDDの記録密度を5倍高める技術を開発したとのこと。

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