東京大学と東北大学の研究グループは、鉄系高温超伝導体について、これまで明らかになっていなかった超伝導電子の電子状態を解明した。

山梨大学、東京工業大学、広島大学の研究グループが、新規ビスマス酸化物超伝導体(Na_0.25K_0.45)(Ba_1.00)₃(Bi_1.00)₄O₁₂を発見した。高温超伝導体の探索とそのメカニズム解明に新たな指針を与えるものとみられる。

分子科学研究所の山本浩史教授、須田理行助教、理化学研究所らのグループが、シリコン半導体に用いられている歪み制御技術を用いて、有機物に電圧を加えることで動作する超伝導スイッチを開発した。低コスト・省エネルギーで製造可能なフレキシブルデバイスの開発につながる可能性がある。

京都大学の研究グループが、米アルゴンヌ国立研究所、英ブリストル大学、およびポーランド科学アカデミーの研究グループと共同で、超伝導電子がある特定の方向でのみ重くなり、非常に動きにくくなる特異な超伝導状態を発見した。物質の化学的組成を変化させるなどして磁性を消失させた非従来型超伝導体において、絶対零度で現れる量子ゆらぎが超伝導電子に及ぼす詳細な機構を初めて明らかにした。

ブルックヘブン国立研究所（BNL）を中心とする米国の研究チームが、鉄系高温超伝導体を用いた臨界電流密度の高い超伝導薄膜の作製に成功した。抵抗ゼロの状態で超伝導体に流すことのできる最大電流値である臨界電流密度が、30テスラの強磁場中で 10⁵ A/cm² のオーダーに達している。超伝導薄膜のバッファー層として二酸化セリウム層を加えることで臨界電流密度が向上したという。