マンチェスター大、導電性2次元インクを用いたヘテロ積層デバイスを試作、生体適合性も評価

マンチェスター大学の研究チームは、グラフェンなど二次元材料を用いて、インクジェットプリンタで使用できる水系インクの製法を開発した。さらに同インクの生体適合性についての評価も行った。
マンチェスター大学の研究チームは、グラフェンなど二次元材料を用いて、インクジェットプリンタで使用できる水系インクの製法を開発した。さらに同インクの生体適合性についての評価も行った。
東京工業大学らは、有機化合物(TMTSF)2PF6(テトラメチルテトラセレナフルバレン塩)の低温の半導体状態において、現在最も利用されている熱電変換材料の100倍にも達する巨大な熱電効果を発見した。大きな熱電効果を発現する新しい熱電材料の開発につながるものと期待される。
ワッティーは、研究開発用途向けに新しいALD成膜装置を開発した。ALD(Atomic Layer Deposition:原子層堆積)は、原子1個分という極めて薄い膜を緻密に形成できる成膜プロセス。最先端の半導体デバイス製造で使われている他、最近ではガスを透過させないバリアシートや、微粒子へのコーティング技術など、様々な分野でALDが利用されるようになってきている。
富士フイルムが、量子ドットの集合体からなる薄膜(量子ドット薄膜)において、量子ドット間の距離を精密に制御することで、光エネルギーを効率的に電気エネルギーへ変換することに成功した。京都大学 化学研究所の金光義彦教授との共同研究。
東北大学が、新規材料「3次元ナノ多孔質グラフェン」の開発に成功した。これまで3次元炭素材料は非結晶性不連続体(粉状)のため電気をほとんど通さなかったのに対して、結晶性の高い1枚の繋がった3次元グラフェンシートを作製することで高い電気移動度を達成した。シリコンに替わる3次元デバイスの開発が期待される。
スタンフォード大学の研究チームが、カーボンナノチューブ(CNT)を用いて、高いノイズ耐性と低消費電力性能を備えたフレキシブル回路を作製した。n型CNTをドーピングすることによってCNTトランジスタのしきい値電圧を精密に制御できるようにした。
MITとSRCが、次世代の半導体リソグラフィとして期待される誘導自己組織化技術(DSA:directed self-assembly)の新手法を開発した。DSAに用いるテンプレートの設計を従来よりも簡単に行なうことができる。パターンの大面積化も容易になるという。
東京工業大学の研究チームが、半導体中を秒速8万mで流れる電子を直接観察し、動画撮影することに成功した。新規レーザーパルス光源と光電子顕微鏡を組み合わせ、電子を20nmおよび200フェムト秒(1フェムト秒は1000兆分の1秒)スケールで可視化できる超高速ストロボ顕微鏡を開発して実現した。
独IHPと米ジョージア工科大学の研究チームが、最大発振周波数798GHzという世界最速で動作するシリコン-ゲルマニウム・トランジスタを作製した。これまでのシリコン-ゲルマニウム・トランジスタの最高記録200GHz程度を塗り替えた。